广东省重点领域研发计划“电子信息关键材料”重点专项 详情

2019年广东省重点领域研发计划“电子信息关键材料”重点专项

专题内容

　　本专项按照芯片制造用光敏材料、芯片封装用陶瓷劈刀、 高品质聚酰亚胺、半导体溅射靶材四个专题共部署 5 个项目，每个项目支持 1 项，实施周期为 3-4 年。申报时项目研究内容必须涵盖该专题/项目下所列的全部内容，项目完成时应完成该专题/项目下所有考核指标。每个专题/项目参研单位总 数不得超过 10 个。除特别说明外，本专项要求企业牵头申报，项目完成时项目成果需实现量产和销售。鼓励大企业联合创新型中小企业、高校、科研院所等，产学研联合申报。

　　专题一：高端芯片减薄工序临时键合光敏材料及关键装备(专题编号：20190180)

　　研究内容：

      面向高端芯片/器件的高精度超薄晶圆级加工需求，研发满足临时键合/解键合的光敏材料、关键设备及成套工艺。主要研究内容如下：

　　(1)紫外激光响应材料的设计、配方优化及合成技术 开发;

　　(2)临时键合胶材料的配方设计及性能研究;

　　(3)整套临时键合材料的工艺开发和验证;

　　(4)紫外激光拆键合自动化设备的开发。

　　考核指标：

　　(1)紫外激光响应材料：

　　热稳定性大于 400 ℃(TGA，5 wt%失重时温度);涂覆层厚度<500 nm，且厚度可调;涂覆层紫外吸收率>95%(308 nm-UV)，涂覆层紫外吸收率>80%(355 nm-UV); 355 nm-UV 吸收率批次波动性小于 5%，低温储存条件下质量稳定性大于 6 个月以上，材料产能达 120 升/月。

　　(2)临时键合材料：

　　热稳定性大于 380 ℃(TGA，5 wt%失重时温度)，玻璃化转变温度低于 80 ℃;杨氏模量小于 1.5 GPa;涂覆层厚度<40 μm，且厚度可调;键合温度小于 200 ℃，键合压力小于 5 kN;8 寸晶圆激光解键合温度小于 40 ℃，单片激光解键合时间小于 60 秒;批次波动性小于 5%，质量稳定性大于6 个月以上(粘度变化≤±5%)，材料产能达 200 升/月以上。

　　(3)紫外激光拆键合设备：

　　加工前兼容产品尺寸：8 英寸，12 英寸;兼容产品厚度：0.05 mm~1.0 mm;激光波长：355 nm;脉冲能量：1 mJ@355nm;脉冲功率稳定性：<1%@355 nm;设备 UPH(每小时加工的 12 寸晶圆)大于 30;光斑均匀性大于 90%;8 英寸、12 英寸晶圆厚度可减薄至 50 微米以下。

　　(4)项目成果材料和设备在广东实现量产，实现新增 产值 1 亿以上。

　　(5)申请发明专利 10 件，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　申报要求：本项目不限定牵头申报单位属性，但有产业化目标，须不少于项目总投入 50%的自筹经费。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 1500 万元。

　　专题二：IC 芯片封装用陶瓷劈刀材料及应用研究(专题编号：20190181)

　　研究内容：

　　(1)高性能劈刀核心参数的研究与制造装备的开发

　　基于芯片封装用陶瓷劈刀型号和种类，研究劈刀关键尺寸与键合力、抗压、抗弯以及抗锤击等的影响规律，开发高性能劈刀制造设备。

　　(2)高性能劈刀原材料配方技术研究和开发

　　开发高性能陶瓷劈刀配方，研究成型技术及精细研磨加工工艺;制备高强度、高硬度、高质量陶瓷劈刀。

　　(3)长寿命、低磨损劈刀端面掺杂技术开发

　　基于精细研磨加工工艺，研究不影响表面粗糙度、精度 以及焊接质量的掺杂方法，实现原有劈刀端面的降磨、自清 洗以及增寿。

　　考核指标：

　　(1)陶瓷粉体一次粒径≤80 nm;粒度 D50≤0.15 μm; BET≥(18±2) m2/g;

　　(2)陶瓷劈刀性能指标：尺寸精度±1.5 μm;表面光洁度 Ra≤0.1 μm，Rz≤0.8 μm;硬度≥1900 HV;抗弯强度≥600 MPa;

　　(3)劈刀刀头端面纳米硬度大于 22 GPa，焊点数≥200万次(焊接工艺条件：超声电流 90-130 mA，焊接压力 25-60g，焊接时间 15-30 ms);

　　(4)实现量产并销售，新增产值 2 亿元以上;

　　(5)申请专利 10 件，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 1500 万元。

　　专题三：高品质聚酰亚胺基材及应用研究(专题编号：20190182)

　　项目 1：柔性显示用透明聚酰亚胺基材研发及应用 

      研究内容：

　　(1)研究面向柔性显示的耐高温、高透明衬底用聚酰 亚胺前驱体，包括聚酰亚胺化学结构、组分、工艺及性能的相关性研究;开展聚酰亚胺薄膜的制备工艺研究;

　　(2)开展高透明性聚酰亚胺柔性盖板材料研究，包括 聚酰亚胺前驱体的化学结构设计、组分调控、制备工艺等， 以及聚酰亚胺薄膜的制备工艺技术;

　　(3)研究聚酰亚胺薄膜的表面特性及复合技术，以及高透光柔性衬底-光电功能薄膜-金属导电电极-多层薄膜封装的集成技术。瞄准彩色柔性显示的产业化应用，开展聚酰 亚胺柔性衬底、盖板与薄膜晶体管阵列和 OLED 或量子点、电子纸等显示的集成技术研究，实现柔性显示的产业化应用。

　　考核指标：

　　(1)聚酰亚胺柔性衬底的考核指标：①20 μm 厚度下薄膜的平均透光率≥88%，色度 b 值≤3，雾度≤0.8;②热膨胀系数≤15 ppm/℃@100-200 ℃;③抗拉强度>300 MPa;④可涂布印刷制备薄膜;⑤黄变指数<4.5;⑥玻璃化转变温度>400 ℃ 。

　　(2)聚酰亚胺柔性盖板的考核指标：①20 μm 厚度薄膜的平均透光率≥90%，色度 b 值≤3，雾度≤0.8;②热膨胀系数≤15 ppm/℃@100-200 ℃;③抗拉强度>310 MPa;④可耐受反复折叠 100,000 次以上(最小半径 1 mm);⑤黄变指数<0.6;⑥玻璃化转变温度>330 ℃。

　　(3)高透明聚酰亚胺材料实现稳定的批量化生产(飞 行抽检，良品率>85%)并销售。聚酰亚胺柔性衬底、盖板应 用于分辨率不低于 300ppi 彩色柔性显示屏。

　　(4)申请发明专利 10 件以上，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　(5)项目成果材料和设备在广东实现量产，实现新增 产值 1 亿元以上。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 2000 万元。

　　项目 2：聚酰亚胺基无胶覆铜板基材产业化及应用

      研究内容：

　　(1)开发高品质聚酰亚胺前驱体，包括单体、填料、 多层结构的设计及制备;

　　(2)研究聚酰亚胺组分、结构、工艺与性能的相关性;

　　(3)进行纳米分散、填充制胶、悬浮涂布线、亚胺化 设备的开发及验证;

　　(4)开展高品质聚酰亚胺的表面改性技术、复合技术的开发及工程化验证;

　　(5)研究聚酰亚胺高端柔性覆铜板稳定化生产技术， 并在新一代信息技术领域的典型应用(场景)中进行验证。

　　考核指标：

　　(1)Dk/Df (15 GHz) ≤3.2/0.003，插入损耗(15 GHz)<-2 dB/10 cm，剥离强度≥0.7N/mm (铜箔厚度不超过 12微米);

　　(2)吸水率(E-1/105+D-24/23)≤0.5%;

　　(3)耐浸焊性 340 ℃、30 Sec 不分层不起泡;蚀后卷曲度≤1.0%;

　　(4)热膨胀系数(蚀后，RT-250 ℃)≤25 ppm/K;尺寸稳定性(E-0.5/150)≤±0.05%;

　　(5)燃烧性 UL94 V-0;耐折性(无压膜，R=0.38 mm， n=175 r/min，G=500 g)≥150 次;耐化学性(剥离强度保持率)≥90%;

　　(6)表面电阻(湿热)≥1.0E+05 MΩ;体积电阻率(湿热)≥1.0E+06 MΩ·cm;电气强度≥80 kV/mm;

　　(7)在手机天线、传输线，高速连接器(USB3.1)等开展验证，项目结题时销售量超过 20 万平方米;

　　(8)实现稳定化量产(飞行抽检，良品率>85%)并销售，实现新增产值 2 亿元以上;

　　(9)申请发明专利 10 件以上，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 1500 万元。

　　专题四：薄膜晶体管用高迁移率氧化物半导体溅射靶材研究及应用(专题编号：20190183)

　　研究内容：

      开发 TFT 基板用具有自主知识产权的高迁移率金属氧化物有源半导体材料，研究高品质金属氧化物原料制备技术，开发高世代金属氧化物靶材制备技术、配套的薄 膜制备技术、金属氧化物 TFT 制备工艺等，研究可用于 8.5 代生产线及以上的生产工艺及与 OLED 显示的集成工艺。鼓励采用自主技术的国产化设备研制靶材。

　　考核指标：

　　(1)靶材材料纯度>99.99%;相对密度在 99%以上;靶材平均晶粒尺寸<10 µm;组分均匀性±0.5%;抗弯强度≥80MPa。

　　(2)金属氧化物半导体 TFT 器件迁移率>30 cm2/(V·s);亚阈值摆幅 < 0.3 dec/V;开关比>109;

　　(3)光照稳定性：采用亮度为 10000 cd/m2 的白光 LED 直接照射 TFT 器件沟道，阈值电压变化<1 V;正/负电压光照稳定性(P/NBIS)评估：在亮度为 10000 cd/m2 的白光 LED 持续照射下，在栅极与源极(Vgs)端施加 20 V 或-20 V 的电压，持续时间为 2 小时。要求正向阈值电压(PBIS)变化量<1.5 V，反向阈值电压(NBIS)变化量<1 V;

　　(4)具有 8.5 代或以上金属氧化物半导体旋转靶材和平面靶材的制备能力;

　　(5)项目承担单位具备大尺寸靶材绑定制备能力，形 成申请发明专利 10 件以上，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文，开发新产品 5 个以上，新产品实现年产能达 60 吨，项目验收时产品年销售>40 吨，实现新增产值 1 亿元以上。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过 2000 万元。

申报要求

　　(一) 项目申报单位(包括科研院所、高校、企业、其他事业单位和行业组织等)应注重产学研结合、整合省内外优势资源。申报单位为省外地区的，项目评审与广东省内单位平等对待，港澳地区高校院所按照《广东省科学技术厅 广东省财政厅关于香港特别行政区、澳门特别行政区高等院校和科研机构参与广东省财政科技计划(专项、基金等)组织实施的若干规定(试行)》(粤科规范字〔2019〕1号)文件精神纳入相应范围。

　　省外单位牵头申报的，经竞争性评审，择优纳入科技计划项目库管理。入库项目在满足科研机构、科研活动、主要团队到广东落地，且项目知识产权在广东申报、项目成果在广东转化等条件后，给予立项支持。

　　(二) 坚持需求导向和应用导向。鼓励企业牵头申报，牵头企业原则上应为高新技术企业或龙头骨干企业，建有研发机构，在本领域拥有国家级、省部级重大创新平台，且以本领域领军人物作为项目负责人。鼓励加大配套资金投入，企业牵头申报的，项目总投入中自筹经费原则上不少于70%;非企业牵头申报的，项目总投入中自筹经费原则上不少于50%(自筹经费主要由参与申报的企业出资)。

　　(三) 省重点领域研发计划申报单位总体不受在研项目数的限项申报约束，项目应依托在该领域具有显著优势的单位，加强资源统筹和要素整合，集中力量开展技术攻关。不鼓励同一单位或同一研究团队分散力量、在同一专项中既牵头又参与多个项目申报，否则纳入科研诚信记录并进行相应处理。

　　(四) 项目负责人应起到统筹领导作用，能实质性参与项目的组织实施，防止出现拉本领域高端知名专家挂名现象。

　　(五) 项目内容须真实可信，不得夸大自身实力与技术、经济指标。各申报单位须对申报材料的真实性负责，要落实《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》(厅字〔2018〕23号)要求，加强对申报材料审核把关，杜绝夸大不实，甚至弄虚作假。各申报单位、项目负责人须签署《申报材料真实性承诺函》(模板可在阳光政务平台系统下载，须加盖单位公章)。项目一经立项，技术、产品、经济等考核指标无正当理由不予修改调整。

　　(六) 申报单位应认真做好经费预算，按实申报，且应符合申报指南有关要求。牵头承担单位原则上应承担项目的核心研究任务，分配最大份额的项目资金。项目研究成果须在广东转化和产业化。

　　(七) 有以下情形之一的项目负责人或申报单位不得进行申报或通过资格审查：

　　1.项目负责人有广东省级科技计划项目3项以上(含3项)未完成结题或有项目逾期一年未结题(平台类、普惠性政策类、后补助类项目除外);

　　2.项目负责人有在研广东省重大科技专项项目、重点领域研发计划项目未完成验收结题(此类情形下该负责人还可作为项目组成员参与项目申报);

　　3.在省级财政专项资金审计、检查过程中发现重大违规行为;

　　4.同一项目通过变换课题名称等方式进行多头或重复申报;

　　5.项目主要内容已由该单位单独或联合其他单位申报并已获得省科技计划立项;

　　6.省内单位项目未经科技主管部门组织推荐;

　　7.有尚在惩戒执行期内的科研严重失信行为记录和相关社会领域信用“黑名单”记录;

　　8.违背科研伦理道德。

评审及立项说明

　　省重点领域研发计划项目由第三方专业机构组织评审，对申报项目的背景、依据、技术路线、科研能力、时间进度、经费预算、绩效目标等进行评审论证，并进行技术就绪度和知识产权等专业化评估：

　　(一) 技术就绪度与先进性评估。本专项主要支持技术就绪度4～7级的项目，其中，技术就绪度目前为4～6级的项目在完成后原则上应有3级以上提高，目前为7级的项目在完成后应达到9级，各申报单位应在可行性报告中按要求对此进行阐述并提供必要的佐证支撑材料。

　　(二) 查重及技术先进性分析。将利用大数据分析技术，对照国家科技部科技计划历年资助项目与广东省科技计划历年资助项目，对拟立项项目进行查重和先进性等分析。

　　(三) 知识产权分析评议。项目研究成果一般应有高质量的知识产权，请各申报单位按照高质量知识产权分析评议指引(见附件3)的有关要求加强本单位知识产权管理，提出项目的高质量知识产权目标，并在可行性报告中按要求对此进行阐述并提供必要的佐证支撑材料，勿简单以专利数量、论文数量作为项目目标。

　　拟立项项目经领域专家和战略咨询专家审议，并按程序报批后纳入项目库管理，按年度财政预算及项目落地情况分批出库支持，视项目进展分阶段进行资金拨付。

　　同一指南中的同一项目方向(或子方向)，原则上只支持1项(指南有特殊说明的除外)，在申报项目评审结果相近且技术路线明显不同时，可予以并行支持。