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后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划面向芯片自主发展的国家重大战略需求，以芯片的基础问题为核心，旨在发展后摩尔时代新器件和计算架构，突破芯片算力瓶颈，促进我国芯片研究水平的提升，支撑我国在芯片领域的发展与创新。拟资助培育项目8项左右，资助直接费用约为80万元/项，资助期限为3年;拟资助重点支持项目4项左右，资助直接费用约为300万元/项，资助期限为4年。
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后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划面向芯片自主发展的国家重大战略需求，以芯片的基础问题为核心，旨在发展后摩尔时代新器件和计算架构，突破芯片算力瓶颈，促进我国芯片研究水平的提升，支撑我国在芯片领域的发展与创新。拟资助培育项目8项左右，资助直接费用约为80万元/项，资助期限为3年;拟资助重点支持项目4项左右，资助直接费用约为300万元/项，资助期限为4年。
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后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划面向芯片自主发展的国家重大战略需求，以芯片的基础问题为核心，旨在发展后摩尔时代新器件和计算架构，突破芯片算力瓶颈，促进我国芯片研究水平的提升，支撑我国在芯片领域的发展与创新。拟资助培育项目8项左右，资助直接费用约为80万元/项，资助期限为3年;拟资助重点支持项目4项左右，资助直接费用约为300万元/项，资助期限为4年。
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“西太平洋地球系统多圈层相互作用”重大研究计划立足地球科学前沿和国家重大需求，瞄准西太平洋作为地球系统的窗口所拥有的科学价值和地域优势，提炼和把握以流体为纽带的跨圈层动力过程与能量物质循环这一重大科学问题，进行多学科、跨尺度、跨圈层综合研究，发展板块构造理论，服务于西太平洋气候、环境、资源及国家安全等重大战略目标。最高资助850万。
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本重大研究计划将聚焦团簇构效关系，探索物质结构与性能随团簇尺寸变化的规律，揭示团簇稳定性机制，理解多级团簇体系中主体与环境的作用机制，实现功能导向的多级团簇结构的精准构筑和宏量制备。拟资助培育项目15-25项，直接费用资助强度约为80万元/项，资助期限为3年。拟资助重点支持项目5-7项，直接费用资助强度约为300-400万元/项，资助期限为4年
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通过多学科交叉和新技术运用，实现手性分子、手性大分子、手性超分子和手性材料单一镜像异构体的高效制备，揭示手性产生、传递、放大和调控的机制和规律，阐明手性物质的结构-功能关系，发展精准和规模创造手性功能分子和材料的关键技术，形成新的学科生长点，显著提升我国在手性物质研究领域的原始创新能力和国际竞争力。拟资助重点支持项目1-3项，直接费用资助强度为200-300万元/项，资助期限为4年;拟资助集成项目3-4项，直接费用资助强度为800-1000万元/项，资助期限为3年。
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国家重点新产品计划是政府为引导、推动企业和科研机构的科技进步和提高技术创新能力，实现产业结构的优化和产品结构的调整而制定的。该项目支持的类别是重点新产品和战略性创新产品，项目审核通过之后，最高可获得500万元的资助。
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